2026—2027年利用商业亚轨道飞行重复进行高性能半导体材料（如氮化镓）气相外延生长试验寻求质量突破获芯片材料公司研发合作投资.pptxVIP

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目录

一、《太空微重力革命：商业亚轨道重复飞行如何重塑氮化镓半导体材料外延生长范式并引领2026-2027年芯片材料质量突破战略投资新纪元》

二、《超越地面极限：(2026年)深度解析利用短期微重力环境抑制对流与沉降效应以实现氮化镓气相外延生长中本征缺陷密度数量级下降的机制与路径》

三、《从抛物线到轨道：为何2026-2027年商业亚轨道飞行平台成为半导体材料颠覆性研发的成本、频次与数据获取最优解的专业投资价值分析》

四、《专家视角下的材料基因组：构建基于亚轨道飞行试验数据的高性能氮化镓材料生长动力学与缺陷演化预测模型赋能精准工艺研发》

五、《热管理与流动控制之变：微重力条件下