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金属-陶瓷复合结构高精度压力传感器芯片方案

方案目标与定位

（一）核心目标

本方案聚焦金属-陶瓷复合结构优势，研发并规模化应用高精度压力传感器芯片，实现三大核心目标：一是突破金属-陶瓷界面结合、耐腐高压、低温漂技术，解决复杂工况下结构密封失效、介质侵蚀、测量偏差问题，测量精度控制在±0.05%FS以内，量程适配0-20MPa通用工况，响应时间≤6ms，精准捕捉压力动态变化；二是优化芯片与金属-陶瓷封装的适配性，实现防爆密封、抗电磁干扰设计，适配工业控制、民生设备等多场景，提升极端环境下运行稳定性，使用寿命达8年以上；三是构建标准化生产体系，兼容各类测控平台，实现产业化落地，替代进口部件，提升国产复合结构传感部件的性价比与市场竞争力。

（二）定位分析

1.技术定位：立足MEMS压阻式技术路线，聚焦金属-陶瓷复合结构痛点，突破界面共烧、宽温补偿、高精度密封核心技术，形成自主知识产权体系，填补国内金属-陶瓷复合结构专用高精度压力传感器芯片技术空白。

2.市场定位：聚焦传感器制造商、工业设备企业、民生电子厂商核心市场，覆盖工业测控、液压系统、家用燃气、医疗设备等领域，为压力监测、闭环调控、故障预警提供核心部件，兼顾传统设备升级改造市场，构建高可靠性产品矩阵。

3.应用定位：打造通用型复合结构芯片方案，可根据工况需求优化金属/陶瓷材质配比与封装规格，适配高压测控、腐蚀性介质监测、高低温环境应用等场景，满足多领域高精度、高稳定性压力感知需求。

方案内容体系

（一）芯片核心设计

采用MEMS压阻式技术路线，敏感单元选用N型单晶硅材料，通过离子注入工艺构建压阻桥，依托优异力学敏感性提升监测精度。芯片设计为方形膜片式（膜片直径≤3mm、厚度10-15μm），经有限元仿真优化膜片应力分布与压阻桥布局，内置高精度低温漂补偿电路，实现-40℃至125℃宽温误差补偿，功耗控制在15μA以内，适配工业与民用供电需求。接口采用标准化SPI/I2C双接口，支持数据实时传输与远程校准，兼容主流测控模块协议，优化电路抗干扰设计，符合GB/T17626电磁兼容标准。

（二）金属-陶瓷复合结构设计

采用“金属-陶瓷共烧+一体化密封”结构设计，兼顾耐腐性与密封性。陶瓷基底选用99.6%氧化铝陶瓷，具备优异绝缘性与结构强度；金属层选用哈氏合金C276或不锈钢316L，适配腐蚀性与常规介质场景，通过活性金属钎焊工艺实现金属-陶瓷界面牢固结合，结合强度≥30MPa，无界面孔隙。整体尺寸控制在10mm×10mm×4.5mm以内，适配狭小安装空间；芯片与复合基底通过低温共晶焊固定，搭配金属密封环强化高压密封，满足IP68防水等级与ExdIIBT6防爆要求，可长期耐受20MPa高压与酸碱介质侵蚀。

（三）标准化生产工艺体系

1.预处理工艺：芯片与金属/陶瓷件经超声波清洗（无水乙醇+专用清洗剂）、等离子体除氧化层，去除杂质油污；千级洁净车间真空烘干（110℃，1.5h），避免残留杂质影响界面结合精度。

2.金属-陶瓷结合工艺：采用活性金属钎焊技术（温度850-900℃，真空环境），实现金属与陶瓷界面冶金结合；精密视觉对位系统（精度±0.001mm）完成芯片装配，Au-Si共晶焊（380℃，6N）固定，金丝键合（直径0.025mm）实现电连接，拉力强度≥5g。

3.封装与强化工艺：激光焊接密封封装体（功率50W，焊缝宽0.7mm），强化高压密封性能；金属表面喷涂耐腐涂层（2-3μm），180℃高温固化2h提升附着力，陶瓷表面做绝缘防护处理。

4.后处理与校准：成品经150℃/1h去应力退火，通过高压脉冲、介质浸泡、高低温循环测试筛选不良品；采用高精度压力源（精度±0.01%FS）全量程校准，确保测量精度达标。

（四）性能测试与行业合规验证

建立“性能测试+多场景合规”双体系。性能测试涵盖压力精度、温度漂移、响应时间、界面结合强度、耐腐性、抗振性等项目，模拟高压、腐蚀、高低温等工况。合规验证包括工业防爆认证、计量器具型式批准认证、耐腐蚀性检测，针对民用场景额外通过食品级接触材料认证（GB4806），确保符合多领域安全规范。

实施方式与方法

（一）实施阶段划分

1.研发验证阶段（1-6个月）：组建跨学科团队，完成芯片设计、复合结构仿真与工艺方案；制作150-200件样品，开展工况模拟测试，优化金属-陶瓷结合工艺与芯片参数，形成落地方案。

2.中试转化阶段（7-12个月）：搭建标准化中试生产线，配置钎焊炉、激光焊接机、高压测试台等设备，月产能达2000-3000件；联合下游企业开展多场景适配测试，完善规格书与安装手册。

3.规模化生产阶段（13-24个月）：升级自动化生产线，引入自