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铸钢材质抗高压高精度压力传感器芯片方案

方案目标与定位

（一）核心目标

本方案聚焦铸钢高强度、抗高压、抗冲击优势，研发规模化应用的高精度压力传感器芯片，实现三大核心目标：一是突破铸钢精密加工、低应力封装、抗高压与精度协同技术，解决传统传感器在高压工况下结构变形、测量失准的痛点，测量精度达±0.03%FS，量程适配0-100MPa高压工况，响应时间≤5ms，采用ZG230-450铸钢封装，抗拉强度≥450MPa，抗压强度≥900MPa，经防腐处理后中性盐雾耐受≥2000小时，极端高压下结构稳定性优异；二是优化芯片与铸钢封装适配性，实现防爆密封抗干扰设计，适配石油钻探、高压液压、航空航天等高压场景，极端环境运行寿命≥10年；三是构建铸钢抗高压传感标准化生产体系，兼容各类高压测控平台，替代进口高端抗高压传感部件，提升国产高压传感器技术竞争力与市场份额。

（二）定位分析

1.技术定位：立足MEMS压阻式技术路线，聚焦铸钢抗高压核心，突破精密铸造、热处理强化、低应力集成与高精度校准协同技术，形成自主知识产权体系，填补国内铸钢专用抗高压高精度压力传感器芯片技术空白。

2.市场定位：聚焦传感器制造商、石油钻探企业、高压设备厂商核心市场，覆盖石油井下钻探、高压液压系统、航空航天高压管路等领域，提供铸钢抗高压压力核心部件，兼顾高压设备升级需求，构建高可靠性产品矩阵。

3.应用定位：打造通用型铸钢抗高压芯片方案，可根据压力等级优化铸钢牌号与封装结构，适配0-100MPa高压、中温、振动环境下高精度压力监测场景，满足多领域对耐压性、结构稳定性、测量精度的综合诉求。

方案内容体系

（一）芯片核心设计

采用MEMS压阻式技术路线，敏感单元以N型单晶硅为基底，构建高灵敏度压阻桥结构。芯片设计为方形膜片式（直径≤2.8mm、厚度12-15μm），经有限元仿真优化膜片应力分布，适配铸钢封装的高压承载特性，避免高压传导导致芯片损坏。内置高精度低温漂补偿电路，结合温度补偿算法，实现-40℃至150℃宽温误差补偿，功耗控制在12μA以内，适配高压设备连续供电需求。接口采用标准化SPI/I2C双接口，支持实时传输与复测，抗干扰设计符合GB/T17626电磁兼容标准。

（二）铸钢抗高压结构设计

采用“MEMS芯片+绝缘衬层+铸钢封装”一体化抗高压结构，兼顾耐压性与密封性。封装基体选用ZG230-450铸钢，经正火处理强化性能，硬度HB190-230，可承受100MPa高压而无塑性变形；表面经镀锌钝化处理，涂层厚度0.1-0.2mm，提升防腐性能。芯片通过氧化锆陶瓷绝缘衬层固定于铸钢基底，隔绝导电干扰与高压应力传导；采用“金属密封环+激光焊接”双重密封，密封环为哈氏合金材质，防潮等级达IP68，可耐受100MPa高压及复杂介质侵蚀，适配极端高压工况。

（三）标准化生产工艺体系

1.预处理工艺：硅芯片经超声波清洗（去离子水+中性清洗剂）、等离子体除氧化层；铸钢件经精密打磨、酸洗除锈，去除氧化皮与杂质，120℃烘干1h备用，提升表面处理附着性。

2.铸钢加工与强化工艺：采用精密铸造+CNC加工成型铸钢封装壳体，控制表面粗糙度Ra≤0.8μm；经900-950℃正火处理，保温2h后空冷，强化晶粒结构，提升抗压强度，后续进行镀锌钝化处理。

3.芯片装配工艺：精密视觉对位系统（精度±0.001mm）完成芯片定位，Au-Si共晶焊（370℃，5N）固定于陶瓷衬层；金丝键合（直径0.02mm）实现电连接，连接处涂覆耐高温耐高压灌封胶；将衬层与铸钢基底紧固，确保应力均匀分布。

4.封装与后处理：高功率激光焊接（50W，时间3s）密封壳体，保障高压下结构完整性；成品经150℃/1h去应力处理，通过高压脉冲测试、气密性测试、精度复测筛选不良品，确保高压环境下稳定运行。

（四）性能测试与行业合规验证

建立“性能测试+场景化合规”双体系。性能测试涵盖压力精度、温度漂移、响应时间、抗压强度、结构稳定性、防腐性能等项目，重点验证铸钢在100MPa高压下的长期可靠性。合规验证包括计量器具型式批准认证、工业防爆认证（ExdIIBT6）、高压设备安全认证、石油钻探设备合规认证，确保符合多领域高压场景标准。

实施方式与方法

（一）实施阶段划分

1.研发验证阶段（1-6个月）：组建跨学科团队，完成芯片设计、铸钢加工与强化工艺方案；制作150-180件样品，优化热处理参数、封装结构，验证精度、抗压性及稳定性，形成落地方案。

2.中试转化阶段（7-12个月）：搭建铸钢抗高压传感器中试生产线，配置精密铸造设备、热处理炉、高压测试仪等，月产能达2000-3000件；联合下游企业开展高压场景适配测试，完善规格书与流