2026招聘集成电路工程师试题及答案.docVIP

2026招聘集成电路工程师试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.集成电路制造中，光刻工艺的主要作用是（）

A.去除杂质B.图形转移C.增加导电性D.提高散热性

2.CMOS电路中，PMOS管导通条件是（）

A.栅源电压大于阈值电压B.栅源电压小于阈值电压

C.栅源电压等于阈值电压D.与栅源电压无关

3.集成电路设计中，RTL级描述是指（）

A.寄存器传输级B.逻辑门级C.晶体管级D.系统级

4.以下哪种封装形式散热性能最好（）

A.DIPB.QFPC.BGAD.SOP

5.集成电路测试中，功能测试主要检测（）

A.芯片的电气性能B.芯片的逻辑功能

C.芯片的散热性能D.芯片的封装质量

6.半导体材料硅的禁带宽度约为（）

A.0.7eVB.1.1eVC.1.4eVD.2.2eV

7.集成电路制造中的刻蚀工艺分为（）

A.干法刻蚀和湿法刻蚀B.化学刻蚀和物理刻蚀

C.光刻刻蚀和离子刻蚀D.热刻蚀和冷刻蚀

8.数字集成电路中，触发器的主要作用是（）

A.存储数据B.实现逻辑运算C.放大信号D.滤波

9.集成电路设计流程中，布局布线属于（）

A.前端设计B.后端设计C.验证阶段D.测试阶段

10.以下哪种信号属于模拟信号（）

A.方波信号B.正弦波信号C.脉冲信号D.数字编码信号

多项选择题（每题2分，共10题）

1.集成电路设计方法有（）

A.自顶向下设计B.自底向上设计

C.混合设计D.随机设计

2.半导体器件的主要特性有（）

A.导电性B.热敏性C.光敏性D.掺杂性

3.集成电路制造中的关键工艺有（）

A.光刻B.刻蚀C.掺杂D.薄膜沉积

4.数字集成电路的基本逻辑门有（）

A.与门B.或门C.非门D.异或门

5.集成电路封装的主要作用有（）

A.保护芯片B.电气连接C.散热D.美观

6.模拟集成电路设计中，常用的电路模块有（）

A.放大器B.滤波器C.振荡器D.比较器

7.集成电路测试的主要内容包括（）

A.功能测试B.性能测试C.可靠性测试D.外观测试

8.以下属于集成电路设计工具的有（）

A.CadenceB.SynopsysC.MentorGraphicsD.MATLAB

9.半导体材料除了硅，还有（）

A.锗B.砷化镓C.氮化镓D.碳化硅

10.集成电路设计中，低功耗设计技术有（）

A.时钟门控B.电源门控C.多阈值电压技术D.动态电压频率调整

判断题（每题2分，共10题）

1.集成电路制造中，光刻工艺的精度决定了芯片的最小特征尺寸。（）

2.CMOS电路中，NMOS管和PMOS管同时导通时会产生较大功耗。（）

3.数字集成电路设计中，RTL级描述可以直接转换为晶体管级电路。（）

4.集成电路封装形式只影响芯片的外观，对性能没有影响。（）

5.模拟集成电路主要处理连续变化的信号。（）

6.半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。（）

7.集成电路制造中的刻蚀工艺只能去除不需要的半导体材料。（）

8.数字集成电路中，组合逻辑电路的输出只与当前输入有关。（）

9.集成电路设计流程中，前端设计主要关注电路的功能实现，后端设计主要关注电路的物理实现。（）

10.集成电路测试只需要进行功能测试即可。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述集成电路设计中前端设计和后端设计的主要区别。

前端设计侧重功能，用硬件描述语言实现电路逻辑功能；后端设计关注物理实现，完成布局布线、寄生参数提取等，将前端设计转换为物理版图。

2.说明半导体材料的掺杂特性及其作用。

掺杂是向半导体中掺入杂质元素。可改变半导体导电性，形成P型或N型半导体，是制造二极管、三极管等器件基础，能满足不同电路设计需求。

3.列举集成电路制造中光刻工艺的主要步骤。

主要步骤有涂胶、曝光、显影。先在硅片上涂光刻胶，再用掩膜版对光刻胶曝光，经显影去除部分光刻胶，实现图形转移。

4.简述数字集成电路中触发器和锁存器的区别。

触发器是边沿触发，在时钟信号边沿采样输入数据；锁存器是电平触发，在时钟信号有效电平期间随输入变化，触发器抗干扰强，