CN115497832A 中间层、集成异构结构及制作方法 (安捷利美维电子(厦门)有限责任公司).docxVIP

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  • 2026-01-31 发布于重庆
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CN115497832A 中间层、集成异构结构及制作方法 (安捷利美维电子(厦门)有限责任公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115497832A(43)申请公布日2022.12.20

(21)申请号202211138936.1H01L23/498(2006.01)

(22)申请日2022.09.19

(71)申请人安捷利美维电子(厦门)有限责任公司

地址361000福建省厦门市中国(福建)自

由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99

号1303室之530

申请人上海美维科技有限公司

(72)发明人罗永红颜国秋杜玲玲查晓刚王建彬李君红

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

HO1L21/48(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

中间层、集成异构结构及制作方法

(57)摘要

CN115497832A本发明提供一种中间层、集成异构结构及制作方法,该中间层的制作方法包括:提供一半固化片,于半固化片的上表面与下表面粘附缓冲膜,采用激光钻孔法于半固化片的预设位置形成通孔,

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