矽塔-SA8332-CN-V2.0-单通道 3.0-20.0V 持续电流 4.0A H 桥驱动芯片 -SOP8.pdfVIP

SA8332

单通道3.0-20.0V持续电流4.0AH桥驱动芯片

描述特性

SA8332是为多节电池供电系统而设计的⚫工作电压范围:3.0-20.0V

单通道低导通电阻直流电机驱动集成电⚫SA8332S持续电流:4.0A,峰值:6.5A

路。集成了电机正转/反转/停止/刹车功能。⚫SA8332E持续电流:5.0A,峰值:

10.0A

SA8332内置过流和输出短路保护功能，⚫低导通电阻:100mΩ(HS+LS)

当通过MOS电流超过限定值时，内部电路⚫支持PWM控制

关断MOS功率管，切断负载电流。当电流⚫集成电源欠压保护

下降到设定值会自动回复，重新开启MOS⚫集成过流保护

功率管。⚫集成过温保护

⚫低待机电流

SA8332内置温度保护功能，当芯片温度⚫低工作电流

超过内部温度保护电路设置得最高温度点⚫SOP8,ESOP8封装

后，内部电路关断内置的功率开关管，切

断负载电流。典型应用

⚫智能硬件

SA8332具有一个PWM（INA/INB）输入

⚫电子锁

接口，支持与行业标准器件兼容。

SA8332封装和简单应用电路

订购信息

型号封装持续电流峰值电流数量(pcs/盘)工作环境温度

SA8332SSOP84.0A6.5A4000-40~85゜C

SA8332EESOP85.0A10.0A4000-40~85゜C

-1-V2.0

SA8332

单通道3.0-20.0V持续电流4.0AH桥驱动芯片

应用参考电路

芯片使用注意事项:

1.以上推荐电路及参数仅适用于普通直流电机驱动,在使用SA8332时请根据实际情况来使用。

2.SA8332功率电源端附近的电容C必须就近连接在芯片电源VM和芯片地GND之间，否则容易造成电

0

路击穿；图中给出的电容值为参考值。

3.SA8332功率电源端附近的去耦合电容C必须就近连接在芯片电源VM和芯片地GND之间，否则容易

1

造成电路击穿；功率电源对地去耦电容容质可根据电机适当调整，图中给出的电容值为参考值。

4.OUTA与OUTB端连接的电容C为去耦合电容，该电容可有效改善因电机快速正、反转切换而引起

2

的电压尖峰击穿输出端口问题。

5.R为采样电阻，根据实际应用增加，建议采样电阻小于50mΩ，同时一定需要增加去耦合电容C;

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