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HKMG技术中HK层薄膜特性研究与优化策略探析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体行业在现代社会中占据着愈发关键的地位。从日常使用的智能手机、电脑，到高端的人工智能、大数据中心，半导体器件作为核心组件，其性能的优劣直接影响着这些设备和系统的运行效率与功能实现。在半导体制造工艺不断演进的历程中，高K金属栅（HKMG）技术的出现成为了一个重要的里程碑，为突破传统技术瓶颈、实现器件性能的大幅提升提供了有效途径。

在过去几十年里，半导体器件遵循着摩尔定律不断发展，其特征尺寸持续缩小，集成度显著提高。当制程工艺发展到45nm及以下节点时，传统的二氧化硅（SiO?）