电子信息类专业研究生第二次作业.docVIP

1．SDRAM、RDRAM的定义，特点和区别？

答：SDRAM:

SynchronousDynamic：RandomAccessMemory，同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。

RDRAM：

RambusDRAM，它采用了串行的数据传输模式，RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

两者的区别：RDRAM与SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于SDRAM的64位，但在频率方面则远远高于SDRAM，可以达到400MHz乃至更高。普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外RDRAM可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节，一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

2．DRAM对读写有什么要求？画出读写时序

答：工作原理：

动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

写操作时，写选择线为1，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有1,则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为0，正好和原存信息相反；若原存信息为0,则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为1。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往数据总线。

工作时序要求：

DRAM的数据读出过程：当由DRAM芯片读出数据时，先送出行地址加在A0～A7上，再送锁存信号，该信号的下降沿将行地址锁存在芯片内部。接着列地址加到芯片的A0～A7上，再送CAS锁存信号，该信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。保持WE=1时，则在有效期间（低电平），数据输出并保持。

DRAM的数据写入过程：数据写入过程雷同数据的读出过程，即锁存地址的过程与读出数据一样，行列地址先后由和锁存在芯片内部。同时，有效（为低电平），加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存储单元。变为低电平，出现在有效之前，通常称为提前写。这样能够将输入端D的数据写入，而D保持高祖状态；若有效（低电平）出现在有效之后，且满足芯片要求的滞后时间，则开始是处于读状态，而后才变为写状态。这种情况下，能够先从选中的单元读出数据，出现在D上，而后再将D上的数据写入该单元。这种情况一次同时完成读和写，故称为读变写操作周期。

3.用整形数据实现一个浮点乘法？

答：要想用整形数据实现一个浮点乘法，首先要做的就是把浮点数先转化为整形数据，之后进行整形数据相乘之后在把相乘的结果变为浮点型。假设两个浮点数R1和R2相乘，首先判断R1和R2两个数的小数位数，分别记录为m和n，之后分别把R1和R2这两个数小数点分别右移m和n位，之后进行ALU计算，结果为R3，此时R3是一个整形数据，之后把R3的后m+n位定义为小数位。

由于汇编语言忘的差不多了，当时也没有好好学习51，用整形数据实现一个浮点乘法的汇编编程暂时实现不了，先欠着，以后补上。

3.NOR和NandFlash的区别