2026—2027年用于5G6G通信基站与相控阵雷达的高功率氮化镓射频器件封装与热管理材料获信息基础设施与国防电子投资.pptxVIP

;

目录

一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、---

一、顶层设计联动与战略资本汇聚：剖析国家信息基础设施与国防电子双重投资如何驱动GaN射频产业链步入高速整合与跃升期

（一）解读“新基建”与国防现代化战略对第三代半导体材料的明确指向与资源倾斜

随着5G/6G网络深度覆盖、天地一体化信息网络构建以及国防装备信息化、智能化升级，国家对高性能、高可靠射频核心器件的自主可控需求已达战略高度。以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，因其高功率密度、高效率和高频特性，成为基站射频前端和相控阵雷达T/R组件的首选材料。2026-2027年的投资布局，正是国家意志在信息与国防两大关键领域