半导体物理(朱俊)第二章 半导体中的杂质和能级缺陷.pdfVIP

第二章

第二章

半导体中的杂质和缺陷能级

半导体中的杂质和缺陷能级

前言：

半导体的杂质工程：

在纯净的半导体中掺入一定量不同类型的杂质，并通

过对其数量和在空间的分布精确地控制，实现对电阻

率和少子寿命的有效控制，从而人为地改变半导体的

电学性质，如n型半导体和p型半导体。

原因：杂质能级的产生－－晶体的势场的周期性受到

破坏而产生附加势场，使得电子或空穴束缚在杂质周

围，产生局域化的量子态即局域态，使能带极值附近

出现分裂能级－－杂质能级。

根据杂质能级在禁带中的位

置，将杂质分为：

浅能级杂质→能级接近导

带底或价带顶；

EcEv

深能级杂质→能级远离导带

底或价带顶。

EcEv

本章主要内容：

1、硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及和杂

质能级，浅能级杂质电离能的计算，并了解杂

质补偿作用。

2、III-V族化合物主要是GaAs中的杂质能级，

理解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质

等概念。

§半导体中的杂质和缺陷

2-1

一、杂质存在的方式和缺陷

类型

1.存在方式

(1)间隙式→杂质位于组成半导体的元

素或离子的格点之间的间隙位置。

Note:间隙式原子的半径一般比较小。

金刚石结构中，一个晶胞内的原子占晶体原胞的

34%，空隙占66%。

LiH

、在硅、锗、砷化镓中是以间隙式杂质。

(2)替位式→杂质占据格点的位置，大

小接近，价电子壳层结构相近。

Si：r=0.117nm

B：r=0.089nm

P：r=0.11nm

硅、锗是Ⅳ族元素，与Ⅲ、Ⅴ族元素的情

况比较相近，它们在硅、锗晶体中都是替位

式杂质。

=Si=Si=Si=

‖‖‖

+

=Si=P●=Si=

‖‖‖

=Si=Si=Si=

‖‖‖

单位体积中的杂质原子数称－－杂质浓度。

2.缺陷的类型

(1)空位和填隙

在一定温度下，晶格原子在平衡位置附近振动中，有

一部分原子获得足够的能量，克服周围原子对它的束

缚而挤入晶格原子间隙，成为间隙原子，原来的位置

成为空位。它们成对出现－－Frenkel缺陷。

如在晶体中只形成空位而无间隙原子－－肖特基缺陷。

空位

=Si=Si=Si=

‖︱‖

=Si－〇－Si=

‖︱‖

=Si=Si=Si=