超结MOSFET（SJ MOSFET）的特性分析、设计优化与应用研究.docxVIP

超结MOSFET（SJMOSFET）的特性分析、设计优化与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。在众多功率器件中，超级结金属氧化物半导体场效应晶体管（SJMOSFET）凭借其独特的结构和优异的性能，在中高电压功率转换领域占据了举足轻重的地位。

在过去几十年间，传统的硅基功率MOSFET在面对不断增长的高电压、大电流应用需求时，逐渐暴露出其局限性。例如，当额定电压提高时，为了保证器件的击穿电压，漂移区需要加厚且掺杂浓度降低，这直接导致导通电阻大幅增加，进而使器件的导通损耗显著上升。以600V的传统平面SiN-M