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【答案】《微电子器件》(电子科技大学)章节期末慕课答案

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第二章PN结

【单元测验】半导体器件基本方程及PN结的基本知识

1.单选题：对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。

选项：

A、P型中性区

B、N型中性区

C、N型势垒区

D、P型势垒区

答案：【P型中性区】

2.单选题：理想PN结的电流是（）。

选项：

A、多子漂移电流

B、复合-产生电流

C、少子扩散电流

D、多子扩散电流

答案：【少子扩散电流】

3.单选题：反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。

选项：

A、漂移和扩散

B、扩