探秘SiC MOS界面：氮等离子体改性机制与电学特性的深度剖析.docx

探秘SiCMOS界面：氮等离子体改性机制与电学特性的深度剖析

一、绪论

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料及器件的性能对众多领域的进步起着关键作用。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其优异的热稳定性、高电子迁移率、高辐照抗性等一系列卓越特性，在高温、高功率、高频和高压等应用场景中展现出巨大的潜力，成为了研究与应用的热点。

在众多基于SiC的器件中，SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）占据着举足轻重的地位，是一种极为重要的SiC功率器件。在新能源汽车领域，其被广泛应用于车载充电器（OBC）、电机驱动器等核心部件。在OBC