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《高频电子技术》试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、填空题（每空2分，共20分）

1.高频电路中，晶体管的频率参数f_T主要反映了其________的能力。

2.谐振回路的主要特性参数包括谐振频率f?、品质因数Q和带宽BW，它们之间的关系为________。

3.放大器产生反馈振荡的相位平衡条件是________，振幅平衡条件是________。

4.在LC调谐放大器中，为了提高选择性和增益，通常采用________调谐方式。

5.模拟信号转换为数字信号的过程称为________，其关键指标是________。

6.AM信号的调制方式是________调制，其频谱结构包括________、上边带和下边带。

7.FM信号的调制方式是________调制，其解调通常采用________电路。

8.天线辐射能量的空间分布图形称为________，其方向性最强的是________。

9.噪声系数是衡量接收机________的重要参数。

10.超外差接收机的特点是具有________和________。

二、判断题（对的打“√”，错的打“×”，每题2分，共10分）

1.放大器的输入电阻越大，其负载效应就越明显。（）

2.并联谐振时，电路呈现纯阻性，阻抗达到最大值。（）

3.任何振荡器都能满足起振条件，只要有正反馈就能产生振荡。（）

4.调幅信号占用带宽是载波频率的两倍。（）

5.天线的增益越高，其辐射范围越广。（）

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述三极管在高频小信号放大器中产生单向性的主要措施。

2.简述频率调制（FM）与幅度调制（AM）的主要区别。

3.简述改善放大器高频特性的主要方法。

4.简述超外差接收机与直接超外差接收机的区别。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.在某LC并联谐振回路中，L=100μH，C=200pF，R=10kΩ。试求该回路的谐振频率f?、品质因数Q和通频带BW。

2.已知某共射放大电路的输入信号为s_i(t)=10sin(2π×10^6t)mV，输出信号为s_o(t)=2sin(2π×10^6t-45°)mV。试求该放大电路的电压增益Av和相位滞后。

3.某调幅信号的表达式为s(t)=(100+20cos(2π×10^4t))cos(2π×10^6t)V。试求载波频率f_c、调制频率f_m、调制指数m_a。

五、分析题（每题15分，共30分）

1.分析振荡器产生振荡的三个基本条件是什么？并简述其中任意一个条件的实现方法。

2.分析画出调频波的时域波形图，并说明其主要特点。

试卷答案

一、填空题（每空2分，共20分）

1.放大高频信号

2.BW=f?/Q

3.相位条件：|βA|=1，且相位相同；振幅条件：|βA|≥1

4.并联

5.调制；信噪比

6.振幅；载波

7.频率；鉴频

8.方向性图；全向天线

9.灵敏度

10.中频放大器；自动增益控制

二、判断题（对的打“√”，错的打“×”，每题2分，共10分）

1.×

2.√

3.×

4.×(调幅信号占用带宽是(1+m_a)f_c，m_a为调制指数，m_a通常小于1)

5.×(增益越高，方向性越强，辐射范围越集中)

三、简答题（每题5分，共20分）

1.解析思路：抑制晶体管内部极间电容的反馈作用。主要措施包括：选用高频特性好的管子（如超高频管）；采用共基极接法（输入电容小）；采用共发射极接法时，通过减小耦合电容和旁路电容的容量来减小密勒效应的影响；采用物理补偿法（如发射极增加补偿电阻或使用密勒补偿电容）。

2.解析思路：调制对象不同（AM调制对象是信号幅度，FM调制对象是信号频率）；抗干扰能力不同（FM抗干扰能力强，AM抗干扰能力弱）；功率消耗不同（AM发射功率随调制信号变化，FM发射功率基本恒定）；带宽不同（FM带宽通常比AM宽）。

3.解析思路：提高晶体管的高频特性（选用f_T高的管子）；减小电路的分布参数（采用缩短引线、地线面覆铜等方法）；采用负反馈（可降低增益但提高稳定性）；采用宽带放大电路结构（如共基极放大器）。

4.解析思路：直接超外差接收机只有一个本地振荡器，其频率直接调谐到接收频率；超外差接收机（通常指超外差）包含混频器，将接收到的信号与本机振荡信号混合产生中频信号，然后进行中频放大，本地振荡器频率是固定中频加上接收频率。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.解析思