《智能计算 忆阻器测试方法 第3部分:脉冲依赖可塑性》标准立项与发展研究报告.docx

《智能计算 忆阻器测试方法 第3部分:脉冲依赖可塑性》标准立项与发展研究报告.docx

《智能计算忆阻器测试方法第3部分:脉冲依赖可塑性》标准立项与发展研究报告

EnglishTitle:ResearchReportontheStandardizationDevelopmentof“IntelligentComputing—TestMethodsforMemristors—Part3:Spike-Timing-DependentPlasticity”

摘要:

随着人工智能技术的爆炸式增长,传统计算架构的“存储墙”与“能耗墙”瓶颈日益凸显,以存算一体为特征的神经形态计算成为后摩尔时代的关键突破口。忆阻器,作为一种能够模拟生物突触电导可调特

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