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2026年技术能力测试：有研科技高工技能评定标准

一、单选题（共10题，每题2分，合计20分）

注：每题只有一个最符合题意的选项。

1.在半导体材料制备过程中，用于提升锗单晶纯度的主要方法是？

A.熔融法

B.区域熔炼法

C.电解法

D.化学气相沉积法

2.有研科技在稀土材料领域常用的热处理工艺是哪种？

A.固溶处理

B.淬火处理

C.退火处理

D.回火处理

3.在铜及铜合金压延加工中，为减少表面缺陷，通常采用哪种润滑方式？

A.油脂润滑

B.水基润滑

C.干式润滑

D.化学润滑

4.高纯锗（≥99.9999%）在制备过程中，对杂质控制的关键指标是？

A.硼含量

B.碳含量

C.氧含量

D.氢含量

5.有研科技在高温合金材料检测中，常用的无损检测方法是？

A.X射线衍射（XRD）

B.超声波检测（UT）

C.磁粉检测（MT）

D.气相色谱（GC）

6.在半导体外延生长过程中，硅烷（SiH?）作为源气的优势是？

A.热稳定性高

B.毒性较低

C.分解温度适中

D.成本最低

7.有研科技在制备精密合金棒材时，常用的热处理工艺是？

A.固溶+时效处理

B.淬火+冷轧处理

C.退火+挤压处理

D.正火+调质处理

8.在稀土永磁材料（如钕铁硼）生产中，矫顽力的主要影响因素是？

A.磁场强度

B.材料晶粒尺寸

C.烧结温度

D.合金成分

9.有研科技在铜加工过程中，为提高材料塑性，通常采用哪种轧制方式？

A.冷轧

B.热轧

C.冷轧+热轧复合

D.拉拔

10.在半导体器件封装中，为防止铅污染，常用的无铅焊料是？

A.Sn-Pb合金

B.Sn-Ag合金

C.Al-Si合金

D.Cu-Ni合金

二、多选题（共5题，每题3分，合计15分）

注：每题有多个符合题意的选项，至少选择2个。

1.有研科技在制备高纯硅材料时，常用的提纯方法包括？

A.西门子法

B.区熔法

C.化学气相沉积法

D.电解法

E.熔融法

2.在稀土永磁材料生产中，影响磁性能的关键工艺参数有？

A.烧结温度

B.冷却速率

C.磁场方向

D.合金成分

E.晶粒尺寸

3.有研科技在铜及铜合金压延过程中，常见的表面缺陷包括？

A.划痕

B.裂纹

C.坑洼

D.氧化皮

E.脱粘

4.在半导体外延生长过程中，影响薄膜均匀性的因素有？

A.温度梯度

B.气体流量

C.基板清洁度

D.源气纯度

E.蒸发速率

5.有研科技在高温合金材料检测中，常用的化学分析方法包括？

A.碘量法

B.原子吸收光谱法（AAS）

C.电感耦合等离子体光谱法（ICP）

D.滴定法

E.X射线荧光光谱法（XRF）

三、判断题（共10题，每题1分，合计10分）

注：请判断下列说法的正误。

1.高纯锗（≥99.9999%）的制备过程中，氧含量应控制在10??级别。

（√/×）

2.在稀土永磁材料生产中，矫顽力越高，材料的抗退磁能力越强。

（√/×）

3.铜及铜合金压延过程中，冷轧比热轧更能提高材料的强度。

（√/×）

4.半导体外延生长过程中，SiH?比GeH?具有更高的热稳定性。

（√/×）

5.有研科技在制备高温合金时，通常采用真空热处理工艺。

（√/×）

6.钕铁硼永磁材料的剩磁越高，其储能密度越大。

（√/×）

7.铜加工过程中，润滑不足会导致表面麻点缺陷。

（√/×）

8.无铅焊料（如Sn-Ag）的熔点通常高于传统Pb-Sn焊料。

（√/×）

9.半导体器件封装中，氮气保护可有效防止氧化。

（√/×）

10.高温合金材料的硬度越高，其耐磨性越好。

（√/×）

四、简答题（共4题，每题5分，合计20分）

1.简述有研科技在制备高纯硅材料时，西门子法的主要原理及优缺点。

2.解释稀土永磁材料（如钕铁硼）的矫顽力及其影响因素。

3.简述铜及铜合金压延过程中，冷轧和热轧的区别及其应用场景。

4.在半导体外延生长过程中，如何控制薄膜的厚度均匀性？

五、论述题（共1题，10分）

结合有研科技的实际生产情况，论述高温合金材料制备过程中，热处理工艺对材料性能的影响，并分析常见的缺陷及改进措施。

答案与解析

一、单选题答案

1.B

-区域熔炼法是提升锗单晶纯度的核心技术，通过多次循环提纯，去除杂质。

2.A

-固溶处理是稀土材料常用的热处理工艺，可提高材料的塑性和耐腐蚀性。

3.B

-水基润滑在铜压延中应用广泛，能有效减少表面摩擦和粘辊现象。

4.C

-高纯锗制备中，氧含量是关键杂质控制指标，需控制在10??级别。

5.B

-超声波检测适用于高温合金的无损检测，可发现内部缺陷。