CN114361037A Ldmos器件及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114361037A

(43)申请公布日2022.04.15

(21)申请号202111648572.7

(22)申请日2021.12.29

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

申请人澳芯集成电路技术(广东)有限公司

H01L29/06(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

(72)发明人嵇彤叶甜春朱纪军李彬鸿

罗军赵杰许静许滨滨

王国庆

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人王娇娇

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图12页

(54)发明名称

LDMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN114361037A本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供FDSOI衬底，所述FDSOI衬底包括由下至上依次层叠的硅衬底、埋氧化层和顶层硅；在所述FDSOI衬底上定义有源区和隔离区，并在所述隔离区形成隔离结构；在所述F