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探寻硅基应变材料生长密码：动力学与缺陷控制的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，硅基应变材料凭借其独特的物理性质，在半导体器件领域占据着举足轻重的地位。随着摩尔定律的不断推进，半导体器件尺寸持续缩小，对材料性能提出了更为严苛的要求。硅基应变材料因其能够有效提升载流子迁移率、优化能带结构，成为延续摩尔定律发展的关键材料，广泛应用于高性能处理器、高速通信器件以及先进传感器等多个领域。例如，在高性能处理器中，硅基应变材料的应用可显著提高芯片运行速度，降低功耗，为实现更强大的计算能力提供了可能；在高速通信器件中，能增强信号传输效率，保障通信的稳定性与高速性。

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