CN114361032A 一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114361032A布日2022.04.15

(21)申请号202111397906.8

(22)申请日2021.11.23

(71)申请人西安电子科技大学

地址710000陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人祝杰杰马晓华郭静姝徐佳豪刘思雨宓珉瀚

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

代理人王萌

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

H01L29/45(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

权利要求书3页说明书11页附图6页

(54)发明名称

一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法

(57)摘要

CN114361032A本发明提供一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法。所述方法包括在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道区、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上沉积氧化硅掩膜；在氧化硅掩膜上刻蚀向下延伸至沟道区的凹槽；利用湿法工