CN113948542A 一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法 （烟台睿创微纳技术股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113948542A

(43)申请公布日2022.01.18

(21)申请号202111217019.8

(22)申请日2021.10.19

(71)申请人烟台睿创微纳技术股份有限公司地址264006山东省烟台市烟台开发区贵

阳大街11号

(72)发明人刘继伟胡汉林陈文礼史杰赵文广王金华

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人张艺

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图9页

(54)发明名称

一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法

(57)摘要

CN113948542A本申请公开了一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法，包括集成电路基板和设于集成电路基板上表面的像素器件；像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元，吸气单元包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层，支撑层，设于支撑层上表面的密封层；吸气单元中的空腔与像素单元的空腔连通；或者，像素器件包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层，设于反射层上方且与反射层相对应的红外传感器单元。像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元，吸气剂层并不设于像素单元中；或者像素器件中吸气剂层不与红

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1.一种非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，包括：

集成电路基板和设于所述集成电路基板上表面的像素器件；

所述像素器件包括像素单元和设于所述像素单元一侧的吸气单元，所述吸气单元包括设于所述集成电路基板上表面的吸气剂层，支撑层，设于所述支撑层上表面的密封层；所述吸气单元中的空腔与所述像素单元的空腔连通；

或者，所述像素器件包括设于所述集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层，设于所述反射层上方且与所述反射层相对应的红外传感器单元。

2.如权利要求1所述的非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，还包括：

设于所述密封层上表面的增透层。

3.如权利要求2所述的非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，所述增透层的材料为硫化锌或者锗。

4.如权利要求1所述的非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，所述支撑层的厚度在750nm～1250nm之间，包括端点值。

5.如权利要求1所述的非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，所述密封层的材料为锗或者硫化锌。

6.如权利要求1所述的非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，所述反射层的厚度在300A~2000A,包括端点值。

7.如权利要求1至6任一项所述的非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，所述吸气剂层的厚度在3000A~7500?,包括端点值。

8.一种非制冷红外探测器的像素级封装结构制作方法，其特征在于，包括：

准备集成电路基板；

在所述集成电路基板的上表面形成像素器件；

其中，所述像素器件包括像素单元和设于所述像素单元一侧的吸气单元，所述吸气单元包括设于所述集成电路基板上表面的吸气剂层，支撑层，设于所述支撑层上表面的密封层；所述吸气单元中的空腔与所述像素单元的空腔连通；或者，所述像素器件包括设于所述集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层，设于所述反射层上方且与所述反射层相对应的红外传感器单元。

9.如权利要求8所述的非制冷红外探测器的像素级封装结构制作方法，其特征在于，当所述像素器件包括设于所述集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层，设于所述反射层上方且与所述反射层相对应的红外传感器单元时，在所述集成电路基板的上表面形成像素器件包括：

在所述集成电路基板的上表面沉积待处理反射层，并对所述待处理反射层进行图形化处理，形成反射层；

在所述集成电路基板的上表面沉积待处理吸气剂层，并对所述待处理吸气剂层进行图形化处理，形成吸气剂层；

在所述集成电路基板的上表面未被所述吸气剂层和所述反射层覆盖的区域、所述吸气剂层和所述反射层的上表面形成第一牺牲层；

刻蚀所述第一牺牲层形成凹槽，并在所述凹槽中形成电极连接柱；

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