CN114122001A 半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114122001A

(43)申请公布日2022.03.01

(21)申请号202111353077.3

(22)申请日2021.11.16

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人肖梦刘隆冬吴建中长江

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人李莎

H01L27/11524(2017.01)

(51)Int.CI.

HO1LHO1LHO1L

HO1L

27/11582(2017.01)

27/11568(2017.01)

27/1157(2017.01)

27/11556(2017.01)

HO1L27/11521(2017.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统

(57)摘要

CN114122001A本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述方法包括：提供基底，位于基底一侧的停止层，位于所述停止层背离所述基底一侧的堆栈层，以及贯穿所述堆栈层和所述停止层并延伸至所述基底内的存储沟道结构；去除所述基底以及部分存储沟道结构，所述部分存储沟道结构为所述停止层背离所述堆栈层一侧的存储沟道结构；在所述停止层背离所述堆栈层的一侧形成共源极层，且所述共源极层与剩余存储沟道结构连接。本发明实

CN114122001A

提供基底，位于基底一侧的停止层，位于所述停止层背

离所述基底一侧的堆栈层，以及贯穿所述堆栈层和所述

停止层并延伸至所述基底内的存储沟道结构

去除所述基底以及部分存储沟道结构，所述部分存储沟道结构为所述停止层背离所述堆栈层一侧的存储沟道结构

在所述停止层背离所述堆栈层的一侧形成共源极层，且所述共源极层与剩余存储沟道结构连接

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CN114122001A权利要求书1/2页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，位于基底一侧的停止层，位于所述停止层背离所述基底一侧的堆栈层，以及贯穿所述堆栈层和所述停止层并延伸至所述基底内的存储沟道结构；

去除所述基底以及部分存储沟道结构，所述部分存储沟道结构为所述停止层背离所述堆栈层一侧的存储沟道结构；

在所述停止层背离所述堆栈层的一侧形成共源极层，且所述共源极层与剩余存储沟道结构连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述基底包括衬底，位于所述衬底一侧的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层背离所述衬底一侧的牺牲层，以及位于所述牺牲层背离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层；

所述停止层位于所述第二绝缘层背离所述牺牲层的一侧，所述存储沟道结构的一端位于所述第二绝缘层、所述牺牲层、所述第一绝缘层或所述衬底的内部。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述存储沟道结构包括隔离层，围绕所述隔离层设置的沟道层，以及围绕所述沟道层设置的存储介质层；

所述剩余存储沟道结构中的沟道层的一端面与所述停止层背离所述堆栈层一侧的表面平齐，且所述共源极层与所述剩余存储沟道结构中的沟道层连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述去除所述基底以及部分存储沟道结构的步骤，包括：

对所述基底和所述存储介质层进行刻蚀，以去除所述基底和位于所述停止体层背离所述堆栈层一侧的存储介质层；

对所述沟道层和所述隔离层进行研磨，以去除位于所述停止层背离所述堆栈层一侧的隔离层和沟道层。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述停止层背离所述堆栈层的一侧形成共源极层，且所述共源极层与剩余存储沟道结构连接的步骤，包括：

去除所述剩余存储沟道结构中靠近所述停止层一端的部分隔离层，以在所述剩余存储沟道结构中形成第一凹槽；

在所述停止层背离所述堆栈层的一侧形成共源极层，且所述共源极层填充所述第一凹槽，以与所述剩余沟道存储结构中的沟道层连接。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述停止层背离所述堆栈层的一侧形成共源极层的步骤之前，还包括：

去除所述剩余存储沟道结构中靠近所述停止层一端的部分隔离层，以在所述剩余存储沟道结构中形成第二凹槽；

在所述第二凹槽中形成导