CN114361012B 一种半导体器件及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114361012B(45)授权公告日2024.05.31

(21)申请号202111678019.8

(22)申请日2021.12.31

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114361012A

(43)申请公布日2022.04.15

(73)专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任

公司

(72)发明人毛永吉叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师郄晨芳

(51)Int.CI.

H01L21/027(2006.01)

H01L21/033(2006.01)

H01L21/311(2006.01)

(56)对比文件

CN102903628A,2013.01.30

CN110739212A,2020.01.31

US2021225639A1,2021.07.22

丘志春.深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法.电子与封装.2013,(第07期),全文.

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