CN114361013A 一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石-GaN-金刚石衬底及制备方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114361013A

(43)申请公布日2022.04.15

(21)申请号202111387283.6

(22)申请日2021.11.22

(71)申请人西安电子科技大学

地址710000陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人许晟瑞王心颢负博祥卢灏

郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230代理人王萌

(51)Int.CI.

HO1L21/18(2006.01)

HO1L29/267(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种用于制作GaNHEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法

(57)摘要

CN114361013A本发明涉及一种用于制作GaNHEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法，方法包括：获取两片多晶金刚石，通过抛光将多晶金刚石的其中一面抛光成光滑面；获取GaN单晶晶片，通过抛光将GaN单晶晶片的两面均抛