CN114361033A 一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114361033A布日2022.04.15

(21)申请号202111397913.8

(22)申请日2021.11.23

(71)申请人西安电子科技大学

地址710000陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人马晓华祝杰杰郭静姝徐佳豪赵旭宓珉瀚

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

代理人王萌

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

权利要求书3页说明书14页附图2页

(54)发明名称

一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法

(57)摘要

CN114361033A本发明涉及一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法，方法包括：在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上利用MOCVD沉积原位氮化硅层；在氮化硅层上刻蚀向下延伸至沟道区的凹槽；在凹槽中生长重掺杂的n材料；制备源漏