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硅掺杂对硫系相变材料锗锑碲薄膜性质的影响机制：微观结构与性能关联研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对存储和信息处理技术的需求不断增长，相变材料在这一领域展现出了巨大的潜力。锗锑碲（Ge-Sb-Te，GST）作为一种典型的硫系相变材料，因其独特的相变特性，在非易失性存储、光存储和神经形态计算等领域得到了广泛的研究和应用。在非易失性存储中，GST材料利用其晶态和非晶态之间的可逆转变，实现数据的写入、擦除和读取，具有高速、低功耗和高可靠性等优点，有望成为下一代主流存储技术的关键材料。在光存储领域，基于GST薄膜的相变光盘能够实现高密度的数据存储，满足大