CN111326714A 一种用作高比容量负极的复合电极制作方法 (宝山钢铁股份有限公司).docxVIP

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CN111326714A 一种用作高比容量负极的复合电极制作方法 (宝山钢铁股份有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111326714A

(43)申请公布日2020.06.23

(21)申请号201811523656.6

(22)申请日2018.12.13

(71)申请人宝山钢铁股份有限公司

地址201900上海市宝山区富锦路885号

(72)发明人吴若飞李铮铮杨兵徐丽敏谭迎宾朱健桦

(74)专利代理机构上海集信知识产权代理有限公司31254

代理人吴明华

(51)Int.CI.

H01M4/36(2006.01)

H01M4/38(2006.01)

H01M4/485(2010.01)

H01M4/587(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种用作高比容量负极的复合电极制作方法

(57)摘要

CN111326714A本发明涉及一种用作高比容量负极的复合电极制作方法,其包括如下步骤:将氧化亚硅颗粒分散于表面活性剂中,加入二氧化钛前驱体的醇溶液,混匀后干燥,在400~550℃下的惰性气氛中进行热处理,得到含有TiO?@Si0第一混合物;将所述第一混合物与石墨、导电剂、CMC/PAA粘结剂混匀后,得到浆料;将所述浆料涂覆于集流体表面,在50~80℃下烘干后,在80~150℃下热处理,得到所述二氧化钛/氧化亚硅/石墨复合电极。与现有技术相比,本发明的制备方法工艺绿色简单且实用性强,通过预先二氧化钛包覆氧化亚硅TiO?@Si0的结构设计与粘结剂CMC/PAA高温交联技术引入,有利于协同改善Si0

CN111326714A

电压(V)461

电压(V)

461

1.5

1.0

0.5

546

0.0

100

2.0-

比容量(mAh/g)

CN111326714A权利要求书1/1页

2

1.一种用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

将氧化亚硅颗粒分散于表面活性剂中,加入二氧化钛前驱体的醇溶液,混匀后干燥,在400~550℃下的惰性气氛中进行热处理,得到含有TiO?@SiO第一混合物;

将所述第一混合物与石墨、导电剂、CMC/PAA粘结剂混匀后,得到浆料;

将所述浆料涂覆于集流体表面,在50~80℃下烘干后,在80~150℃下热处理,得到所述二氧化钛/氧化亚硅/石墨复合电极。

2.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述浆料中,二氧化钛/氧化亚硅/石墨三元复合物的重量百分数为60~98%,导电剂的重量百分数为1~39%,CMC/PAA粘结剂的重量百分数为1~39%。

3.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述氧化亚硅颗粒的粒径为50nm~50μm。

4.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述氧化亚硅颗粒与表面活性剂的质量比为1:(0.1~100)。

5.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧乙烯聚氧丙烯醚嵌段共聚物中一种或几种。

6.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述二氧化钛前驱体为可溶于乙醇的钛酸四丁酯。

7.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述第一混合物中,氧化亚硅与二氧化钛的质量比为1:(0.01~1)。

8.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述浆料中,TiO?@Si0与石墨的质量比为1:(0~100)。

9.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述浆料中,TiO?@Si0和石墨的总质量与导电剂的质量比为(2.54~99):1;TiO?@Si0和石墨的总质量与CMC/PAA的质量比为(1.54~98):1。

10.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述粘结剂中,CMC与PAA的质量比例为1:(0.01~100)。

11.如权利要求1所述的用作高比容量负极的复合电极制作方法,其特征在于,所述的石墨选自人造石墨、天然石墨、硬碳、软碳、中间相碳微球中的一种或几种。

CN111326714A

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