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超大规模集成电路中工艺参数扰动影响及应对策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体工业作为推动现代科技进步的核心力量，在过去几十年间取得了举世瞩目的成就。其发展历程见证了大规模集成电路（VLSI）特征尺寸的持续缩小以及芯片集成度的飞速提升。从早期的电子管到晶体管，再到如今高度集成的超大规模集成电路，半导体技术的每一次突破都为电子设备的小型化、高性能化和多功能化奠定了坚实基础。如今，半导体芯片已能容纳数亿晶体管，曾经需要多个芯片协同工作的电子系统，如今已实现单片集成，这不仅显著提升了器件和电路的性能，还大幅降低了单位电路功能的生产成本。

然而，随着半导体制造工艺不断迈向新的技术节点，器件