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《GBT+46567.1-2025 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性》练习题试卷及参考答案.pdfVIP

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  • 2026-02-10 发布于浙江
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《GBT+46567.1-2025 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性》练习题试卷及参考答案.pdf

    《GBT+46567.1-2025智能计算忆阻器测试方法第

    1部分：基础特性》练习题试卷

    一、单选题（共15题，每题2分）

    1.GB/T46567.1-2025主要适用于哪种类型的忆阻器基础特性测试？

    A.两端型单极性忆阻器

    B.两端型双极性忆阻器

    C.三端型忆阻器

    D.多端型忆阻器

    2.根据标准，忆阻器电导$G_{\text{read}}$的计算公式是：

    A.$G_{\text{read}}=V_{\text{read}}\timesI_{\text{read}}$

    B.$G_{\text

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