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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管：制备工艺、性能优化与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术持续革新的进程中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其卓越的性能，逐渐崭露头角，成为推动高频、高功率电子器件发展的核心力量。自半导体技术诞生以来，从早期的锗晶体管到后来的硅基器件，每一次材料与器件结构的突破都引领了电子信息产业的变革浪潮。随着5G通信、卫星通信、雷达探测以及新能源汽车等领域对高频、高功率器件需求的迅猛增长，传统的硅基半导体器件由于自身材料特性的限制，在面对更高频率和功率要求时，逐渐显得力不从心。例如，硅基器件在高频下的电阻损耗急剧增加，导致信号传输效率大幅降低，无法满足5G基站对于高效、高速信号处理的需求。

AlGaN/GaNHEMT应运而生，其基于AlGaN和GaN形成的异质结结构，展现出诸多令人瞩目的优势。在高频性能方面，AlGaN/GaNHEMT拥有高电子迁移率，能够实现更高的电子迁移速度，使得器件在高频段依然能够保持良好的信号响应能力，有效提升通信系统的传输速率和带宽。以5G通信基站为例，采用AlGaN/GaNHEMT器件的射频功率放大器，能够显著提高基站的信号覆盖范围和数据传输速率，为用户带来更流畅的通信体验。在高功率应用中，该器件凭借其高击穿电场强度和良好的热导率，能够承受更大的功率密度，降低器件在高功率工作状态下的发热问题，提高系统的稳定性和可靠性。这一特性在雷达发射机、电动汽车充电桩等领域具有重要应用价值，能够有效提升设备的性能和效率。

从产业发展的宏观角度来看，AlGaN/GaNHEMT技术的突破与应用，对推动相关产业的升级和发展具有不可估量的作用。在通信产业，它是实现5G乃至未来6G通信技术的关键支撑，能够促进通信设备的小型化、高效化，降低运营成本，加速通信网络的普及和升级。在航空航天领域，基于AlGaN/GaNHEMT的雷达系统能够提供更精确的探测能力，增强飞行器的导航和监测功能，为航空航天事业的发展提供强有力的技术保障。在新能源汽车产业，该器件可应用于汽车的电力驱动系统和充电设施，提高能源转换效率，延长电池续航里程，推动新能源汽车技术的进一步发展。因此，深入研究AlGaN/GaNHEMT的制备工艺、性能优化以及应用拓展，对于提升国家在半导体领域的核心竞争力，推动产业结构调整和升级，具有重要的战略意义和现实价值。

1.2国内外研究现状

近年来，国内外科研人员在AlGaN/GaNHEMT领域展开了广泛而深入的研究，取得了一系列令人瞩目的成果。在制备技术方面，国外如美国、日本等发达国家处于领先地位。美国的科研团队在材料生长技术上不断创新，通过改进金属有机物化学气相沉积（MOCVD）工艺，精确控制AlGaN和GaN层的生长参数，成功生长出高质量、低缺陷密度的异质结材料，为制备高性能的HEMT器件奠定了坚实基础。日本则在器件制备工艺上精益求精，采用先进的光刻和刻蚀技术，实现了对器件结构的高精度加工，有效提高了器件的性能和成品率。国内的研究机构和高校也在奋起直追，中科院半导体研究所、清华大学等单位在MOCVD生长工艺和器件制备技术方面取得了显著进展，成功制备出具有自主知识产权的AlGaN/GaNHEMT器件，部分性能指标已达到国际先进水平。

在性能研究方面，国内外的研究重点主要集中在提高器件的电子迁移率、击穿电压和降低功耗等关键性能指标上。通过优化异质结结构，如引入AlN插入层、调整AlGaN势垒层的厚度和Al组分等，有效提高了二维电子气（2DEG）的浓度和迁移率，进而提升了器件的高频性能。山东大学徐现刚教授课题组和中国科学院半导体研究所王晓亮教授课题组在国产4英寸SiC衬底上，通过在HEMT结构中同时引入AlN插入层和GaN高迁移率沟道层，研制出了二维电子气浓度达到9.954*1012cm-2、迁移率达到2291.1cm2/(V?s)、方块电阻为301.6W、不均匀性为1.64%的高性能GaN/AlGaN/AlN/GaNHEMT结构材料。在提高击穿电压方面，采用复合栅极结构、场板技术以及优化缓冲层结构等方法，有效抑制了电场集中，提高了器件的耐压能力。

尽管在AlGaN/GaNHEMT的研究上已经取得了丰硕的成果，但目前仍然存在一些亟待解决的问题。在材料制备方面，如何进一步降低材料的缺陷密度，提高材料的均匀性和一致性，仍然是一个挑战。材料中的缺陷会导致器件性能的不稳定，增加器件的漏电和噪声，影响器件的可靠性和使用寿命。在器件性能方面，电流崩塌现象仍然是制约器件性能进一步提升的关键因素之一。电流崩塌会导致器件在高功率工作时