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电子封装用ZrWMoO8Cu复合材料的制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今电子信息时代，电子设备正朝着小型化、高性能化、高可靠性方向迅猛发展，这对电子封装材料提出了极为严苛的要求。电子封装材料作为连接芯片与外部世界的关键桥梁，不仅为芯片提供物理保护，实现标准规格化的互连，更是确保电子产品性能稳定、延长使用寿命的核心要素。其性能优劣直接关乎电子器件的工作稳定性、可靠性以及使用寿命，对电子设备的整体性能有着决定性影响。

随着芯片集成度的不断攀升以及功率密度的持续增大，电子器件在工作过程中会产生大量热量。若这些热量无法及时有效地散发出去，将会导致器件温度急剧升高，进而引发热应力问题，严重时甚至会致使器件失效。与此同时，不同材料之间热膨胀系数的差异也会在热循环过程中产生热应力，这同样会对电子器件的可靠性构成严重威胁。因此，研发具有低热膨胀系数和高导热性能的电子封装材料已成为电子封装领域的当务之急，对于推动电子产业的持续发展具有至关重要的意义。

ZrWMoO?作为一种极具潜力的负热膨胀材料，在0.3-1050K的宽广温度范围内展现出强烈的各向同性负热膨胀效应，其负热膨胀系数α≈-9×10??K?1。这种独特的负热膨胀特性使得ZrWMoO?在制备热膨胀系数可控或零膨胀的复合材料方面具有巨大的应用潜力。将ZrWMoO?与高导热的金属Cu复合制备成