12V 30W反激式开关电源测试报告.pdfVIP

CR6853控制12V/30W输出反激式开关电源工

标题

程测试报告

输入压：85－265VAC；输出压：12VDC；

规格

功率：30W

应用充电器，DVD，PDA电源

文件编号EDP-04

日期2008-11

版本1.0

特点：

◆器件少，低成本

◆低待机功耗，≤0.4W

◆空载输入功耗低

◆效率高，≥80%

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目录

1概述3

2规格说明4

3原理图及说明4

4PCB布局图7

5器件清单8

6变压器说明9

6.1原理图及结构图9

6.2材料说明10

6.3绕线方法10

6.4测试参数10

7测试表格11

8性能曲线11

8.1h(P)曲线11

O

8.2空载输入功率曲线12

9测试波形13

9.1漏极压、流波形13

9.2输出纹波波形15

9.3启动/关闭输出电压波形16

10测试设备18

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1概述

CR6853是一款高性能的流模式PWM控制芯，被广泛应用

于功率低于60W宽范围输入（85－265VAC）的单端反激式开关

源。本报告是基于CR6853控制的宽泛围输入、单路12V/30W输出，

采用EI25骨架变压器制作的反激式开关电源的测试报告。

本报告主要包括原理图说明、元器件列表、变压器结构参数、

PCB布局以及测试性能参数。

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2规格说明

输入电压范围85－265VAC

输出电压12±5％V

输出电流2.5A

电源调整率±0.3%

负载调整率±0.3%

输出纹波120mV

输出过压保护有

输出过流保护有

短路保护有

待机功耗≤0.4W（265VAC）

效率≥80％

3原理图及说明

85V-265V交流输入电压VIN经EMI滤波器C1、L1送入桥式整

流器D1经滤波大容C2输出120－375VDC。保险管F1的使用是

为了防止大冲击电流损坏整流桥D1。

整流后的高压（120－375VDC）一端通过变压器的原边接高压

MOSFETQ1的Drain，另一端通过电流检测阻接高压MOSFET

Q1的Source。为了将高压MOSFETQ1管的峰值Drain电压限制在

BVdss（MOSFETDrain-SourceBreakd