CN109346390A 铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法 （湖北汉光科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109346390A

(43)申请公布日2019.02.15

(21)申请号201811014920.3

(22)申请日2018.08.31

(71)申请人湖北汉光科技股份有限公司

地址432000湖北省孝感市长征路257号

(72)发明人陈奎余静邱叶红米伟光

(74)专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司42104

代理人王和平

(51)Int.CI.

H01J9/12(2006.01)

H01J43/04(2006.01)

GO4F5/14(2006.01)

权利要求书1页说明书5页

(54)发明名称

铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法

(57)摘要

CN109346390A本发明涉及铯原子钟领域，公开了一种铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，以金属银作为基体材料，以金属镁作为活性物质，熔炼制得银镁合金，然后将银镁合金进行真空退火处理，再放入真空设备中升温，充入氧气、二氧化碳或水蒸气中的一种，待银镁合金冷却至室温后，再次将真空设备抽真空，当真空压力小于等于5×10-2Pa后，升温至350℃~550℃,然后充入50Pa～500Pa氧气，再将银镁合金冷却至室温，即在银镁合金表面制得Mg0膜，制成二次发射体。本发明铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，使制得的Mg0膜更加致密和牢固，同时改善Mg0膜的晶体结构，使装配此二次发射体的电子倍增器能满足铯束管长时间连续使用的要求和

CN109346390A

CN109346390A权利要求书1/1页

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1.一种铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

A)以金属银作为基体材料，以金属镁作为活性物质，熔炼制得银镁合金；

B)将所述步骤A)中熔炼好的银镁合金进行真空退火处理；

C)将所述步骤B)中处理好的银镁合金放入真空设备中升温，然后充入氧气、二氧化碳或水蒸气中的一种；

D)将所述步骤C)中的银镁合金冷却至室温后，再次将真空设备抽真空，当真空压力小于等于5×10?2Pa后，升温至350℃~550℃,然后充入50Pa～500Pa氧气，再将银镁合金冷却至室温，即在银镁合金表面制得Mg0膜，制成二次发射体。

2.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤D)中，当升温至350℃~550℃后，保持10分钟～5小时后再充入氧气。

3.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤D)中，充入氧气后，保持1小时～12小时后，再将银镁合金冷却至室温。

4.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤A)中银镁合金中镁的质量占比为1%～20%。

5.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤B)中退火温度为400℃~450℃,真空压力小于等于1×10-3Pa,退火时间为30分钟~60分钟。

6.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤B)中将熔炼好的银镁合金进行真空退火处理后，使用酒精或丙酮进行清洗。

7.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤C)中真空设备在升温前的真空压力小于等于1×10?3Pa,真空设备在45分钟～90分钟内升温至660℃~720℃,升温完成后保温3分钟～5分钟，然后充入5×10?1Pa～1×10?3Pa的氧气、二氧化碳或水蒸气中的一种，保持5分钟～15分钟后降温。

CN109346390A说明书1/5页

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铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及铯原子钟领域，具体涉及一种铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法。

背景技术

[0002]目前磁选态铯原子钟所用的铯信号检测铯束管内的电子倍增器的二次发射体都是用基金属附着一层Mg0(氧化镁)膜形成的，现有Mg0膜的制作通常有用两种方法，第一种方法是使用银镁合金在真空中升温氧化使其表面自然生成Mg0膜，第二种方法是在真空中利用磁