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模拟电子技术基础理论综合测试卷.docVIP

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  • 2026-02-12 发布于浙江
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模拟电子技术基础理论综合测试卷.doc

    模拟电子技术基础理论综合测试卷

    判断题

    1.本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的数目都会增多，且增量相同。

    A.对

    B.错

    答案：A

    2.PN结的空间电荷区中，靠P区的是正离子，靠N区的是负离子。

    A.对

    B.错

    答案：A

    3.半导体的导电能力与绝缘体相同。

    A.对

    B.错

    答案：B

    4.当温度升高时，半导体的导电能力将增强。

    A.对

    B.错

    答案：A

    5.P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应带正电。

    A.对

    B.错

    答案：B

    6.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应带负电。

    A.对

    B.错

    答案：B

    7.将PN结加适当的正向电压，则空间

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