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PECVD法制备a-SiCx:H薄膜及其光电性能的深度剖析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料和光伏技术作为关键领域，对于推动电子设备的小型化、高效化以及清洁能源的广泛应用起着至关重要的作用。a-SiCx:H薄膜，作为一种重要的半导体材料，凭借其独特的物理性质，在半导体和光伏等众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。

在半导体领域，a-SiCx:H薄膜具有可调节的带隙，这一特性使其在器件制造中具有重要价值。通过精确控制薄膜中碳（C）和氢（H）的含量，可以灵活地调整带隙大小，从而满足不同半导体器件对材料带隙的特定要求。例如，在金属