模拟电子技术基础李国丽习题答案.pdfVIP

1半导体二极管

自我检测题

一.选择和填空

1.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质

后称杂质半导体。若掺

入五价杂质，其多数载流子是电子。

2.在本征半导体中，空穴浓度_C_电子浓度；在N型半导体中，空

穴浓度旦电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度_A_电子浓度。

（A.大于，B.小于，C.等于）

3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C_,而少数载流子的浓度与_A_关系十分密切。

（A.温度，B.掺杂工艺，C.杂质浓度）

4.当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E;当PN结外加反

向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。

（A.大于，B.小于，C.等于，D.变宽，E.变窄，F不变）

5.二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于

导通状态；反向偏置时，处于截止状态。

6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B_，反向电流一般C;普通小功率锗二

极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。

1A1A

（A.0.10.3V，B.0.60.8V，C.小于口，D.大于口）

7•已知某二极管在温度为25C时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为T

时的伏安特性如图中虚线所示。在25C时，该二极管的死区电压为0.5伏，反向击穿电

-6C

压为160伏，反向电流为10安培。温度T小于25。（大于、小于、等于）

图选择题7

v

PN结的特性方程是i=l（e*-1）。普通二极管工作在特性曲线的正向区：稳

s

压管工作在特性曲线的反向击穿区，

参考.资料

.判断题（正确的在括号内画，错误的画X）

参考•资料

X

1.N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（）

2.在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（“）

3.P型半导

X

体带正电，N型半导体带负电。（）

4.PN结内