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浅谈氮化铝的性质、制备及应用

1氮化铝的性质

氮化铝（AlN）是一种综合性能优异的先进陶瓷材料，是一种被国内外专家

一致看好的新型封装材料，也是目前公认的最有发展前途的高热导陶瓷材料。对

其的研究开始于一个多世纪以前，但当时仅将其用作固氮剂化肥使用。作为共价

化合物的氮化铝，由于其具有较高的熔点和较低的自扩散系数，导致其难以烧结。

直到上世纪50年代，氮化铝陶瓷才被人们首次制得，并作为一种耐火材料使用，

而后广泛应用于纯铁、铝以及铝合金的熔炼。从上世纪70年代以来，随着研究

的进一步深入，氮化铝的制备工艺逐渐走向成熟，其应用的领域和规模也不断扩

大。

氮化铝是一种共价键化合物，具有六方纤锌矿型结构形态，晶格常数为

3

a=3.11、c=4.98，如图1-1所示。其理论密度为3.26g/cm，莫氏硬度为7~8，分

解温度为2200~2250℃。[1]

图1-1氮化铝的晶体结构

氮化铝陶瓷具有较高的热导率，适应于高功率、高引线和大尺寸芯片；它的

热膨胀系数与硅匹配，介电常数较低；其材质机械强度高，在严酷的条件下仍能

照常工作。因此，氮化铝可以制成很薄的衬底，以满足不同封装基片的应用要求。

氮化铝陶瓷作为高热导、高密封材料有很大的发展潜力，是陶瓷封装材料研究的

重要发展领域。人们预计，在基片和封装两大领域，氮化铝陶瓷最终将取代目前

的氧化铝陶瓷和氧化铍陶瓷。[2]

15~10

氮化铝陶瓷的主要特点如下：）热导率高，是氧化铝陶瓷的倍，与剧

-6-6

毒氧化铍相当；2）热膨胀系数（4.3×10/℃）与半导体硅材料（3.5-4.0×10/℃）

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匹配；）机械性能好，高于氧化铍陶瓷，接近氧化铝；）电性能优良，具有极

高的绝缘电阻和低的介质损耗；5）可以进行多层布线，实现封装的高密度和小

[3]

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型化；）无毒，有利于环保。

-1-

2氮化铝粉体的制备

2.1直接氮化法

O碳

氮化铝在自然界中不存在，现在是由金属铝粉末直接氮化合成或由Al23

热还原后再直接氮化法制备，其化学反应式为：

2Al(s)+N(g)→2AlN(s)

2

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直接氮化法具有若干优点：）成本低廉；）原料丰富；）反应体系简单，

没有副反应；4）反应温度低于碳热还原；5）适合大规模生产。

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但该方法仍存在一些缺点：）氮化需要高达℃的反应温度（但低于碳

热还原的反应温度）和较长的反应时间；2）铝金属颗粒在氮化铝表面上的形成，

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抑制了氮气反应物向未反应的铝扩散的过程；）铝与氮气反应产生的大量热量，

使得反应物铝微粒发生聚结，从而增加了氮扩散的难度。

因此，为了使铝粉完全氮化，需要高的反应温度并延长的反应时间。在此基

础上，还需要一个磨削过程，从而抑制烧结过程的致密化。因