发射极旁路电容作用.pdfVIP

发射极旁路电容电路工作原理分析与理解

发布时间:2011-9-1315:45:01访问次数:121

1．典型的发射极旁路电容电路T3049NLT

通常三极管发射极回路都要串联一只电阻，当这只电阻上并联一只电

容时就构成发射极旁路电容电路。如图3-65所示，电路中，VT1构

成一级音频放大器，Cl为VT1发射极旁路电容。

(1)旁路电容工作原理。在VT1发射极电阻Rl上并联了一只容量比较

大的旁路电容Cl，对所有音频信号而言其容抗远比发射极电阻Rl的

阻值小，这样VT1发射极输出的交流信号电流全部通过Cl到地，而

不能流过Rl，电容Cl起着发射极交流信号旁路的作用。

(2)发射极负反馈电阻Rl。Rl是发射极负反馈电阻，它对交流信号和

直流信号都可能存在负反馈作用。对亩流的负反馈可以稳定VT1工

作状态；对交流的负反馈可以改善放大器特性，如减小放大器非线性

失真等。

没有接入Cl时，VT1发射极流出的直流电流和交流信号电流都经过

Rl到地，Rl对直流和交流都存在负反馈作用。加入Cl后，Rl只存在

直流负反馈作用，因为交流信号电流没有流过Rl，所以Rl对交流信

号不存在负反馈作用。

(3)Cl旁路所有的音频信号。电容Cl的容量为47μF，对于音频放大

器而言，该电容容量很大了，它对所有音频信号都呈现很小的容抗，

所以它能让所有的音频信号通过。

2．部分发射极电阻接旁路电容电路

图3-66所示是部分发射极电阻接旁路电容电路。发射极电路中，有

时为了获得合适的直流和交流负反馈，将发射极电阻分成两只电阻串

联。Rl和R2串联起来后作为VT1总的发射极负反馈电阻，构成Rl

和R2串联电路的形式是为了方便形成不同量的直流和交流负反馈。

(1)直流电流电路。三极管VT1发射极的直流电流流过Rl和R2，所

以这两个电阻都有直流负反馈作用，直流负反馈能稳定三极管的工作

状态。

(2)交流电流电路。三极管VT1发射极交流电流通过Rl和Cl到地，

没有流过R2，所以只有Rl存在交流负反馈作用。

(3)电路目的。采用这种发射极电阻设计的目的是在获得更大的直流

负反馈的同时减小交流负反馈，因为交流负反馈量太大，会使放大器

的增益下降得太多。

3．发射极高频旁路电容电路

图3-67所示是发射极高频旁路电容电路。由于输入端耦合电容Cl容

量为lOμF，因此VT1构成音频放大器，若VT1发射极电阻上接有一

只容量较小的旁路电容C2（lμF），它就是发射极高频旁路电客。

(1)音频电路。如果这是音频放大器，由于C2容量比较小（1μF），

低音频和中音频信号的阻抗远大于电阻R2的阻值，这样C2相当于

开路，此时，中、低音频信号因C2容抗很大而流过R2，所以R2对

直流和中、低音频信号都有负反馈作用。

(2)音频信号中的高音频信号。对于高音频信号而言，C2容抗比较小，

C2构成了VT1发射极的高音频信号电流通路，起到高音频旁路的作

用，所以R2没有高音频负反馈作用。这样，放大器对高音频信号的

负反馈量较小，对高音频信号的放大倍数大于对低音频和中音频信号

的放大倍数，这样的电路称为高音频补偿电路。像C2这样只让音频

信号中的高音频信号流过的电容称为高音频旁路电容。

(3)高频电路。如果VT1构成的是高频放大器（电路中的输入端耦合

电容容量减小到几百皮法），其工作频率远高于音频信号频率，C2

容量虽然只有1μF，但是容抗已经很小，远小于发射极负反馈电阻R，

足以使所有的高频信号通过C2到地。加入了C2之后，R2没有高频

信号负反馈作用,只存在直流负反馈.

4．不同容量发射极旁路电容电路T322A104K050AS7200

图3-68所示是不同容量发射极旁路电容电路。电路中的VT1构成音

频放大器，它有两只串联起来的发射极电阻R2和R3，另有两只容量

不等的发射极旁路电容C2和C3。由于C2容量较小，因此对高音频

信号容抗很小，而对中、低音频信号的容抗大。

(1)高频旁路电容C2。由于它的容量较小，只有1μF，在音频电路中，

它只能做高音频信号的旁路电容，这样，没有高音频信号流过电阻R

2，但是低、中音频信号仍流过R2。

(2)旁路电容C3。由于它的容量较大，为47μF，这一容量对音频信号

中的所有频率成分的容抗都非常小，所以它是音频旁路电

容，这