模拟集成电路复习题2.pdfVIP

一.选择题(每题2分,共30分)

1.0K时，硅的外推能隙电压是（）

A．1.205VB.1.125VC.1.215VD.0.7V

2.在版图设计上,采用比例电阻和比例电容的设计可以()

A.提高电阻或电容自身的绝对精度,

B.提高电阻或电容自身的相对精度,

C.减小电阻或电容间的比例误差

D.无影响

3.超大规模集成电路的英文缩写是（）。

A．LSIB.ULSIC.VLSID.VHDL

4.在差分电路中,可采用恒流源替换”长尾”电阻.这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电

阻()

A.越高越好,B.越低越好C.没有要求D.可高可低

5.在NMOS中,衬底上加上正电压偏置,会使阈值电压()

A.增大B不变C减小D可大可小

6.对于差分对的版图设计下列（）图最优.

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AB

CD

7.通常模拟运算放大器由输入级、中间级、输出级和（）组成。

A．有源负载B.基准电压源C.差分对D.偏置电路

8.电压跟随器的电压增益为()

A.1B.=1C.1D.1或1

9.对于EDNMOS基准电压源电路,其中的两个NMOS的工作状态为()

A,都是饱和区

B.一个是饱和区,一个是线性区

C都是线性区

D都是亚阈值区

10.下列说法正确的是(),若想提高基本放大器的电压增益，应

A.提高工作管的跨导，最简单的方法是增加它的宽长比

B.减小衬底偏置效应的影响

D.提高电源电压

C.采用恒流源负载结构

11.反偏二级管(齐纳管)正向压降具有()温度特性.

A.零B.负C.正D.可正可负

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12.差分放大器差模电压增益为()

A．-gRB.gRC.-2gRD.2gR

mcmcmcmc

13.电阻的版图中,直角拐角处的电阻为()

A.0.25方B.0.5方C.1方D.1.5方

14.下列关于双极型模拟集成电路隔离区划分原则中不正确的说法是()

A．NPN管V相同时,可以放在同一隔离区

C

B.NPN管V和PNP管的V相同时,可以放在同一隔离区

CE

C.MOS电容需要单独一个隔离区

D.硼扩散电阻原则上可以放在同一隔离区

15.在下列减小纵向NPN有源寄生效应的办法中，（）不可采用。

A降低外延浓度

B在npn集电区下加设n+埋层