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  • 2026-02-16 发布于河南
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;第二章MOS器件物理基础;一基本概念

;1MOSFET的结构

Metal-Oxide-SemiconductorStructure;

;;MOS管结构;8;大家有疑问的,可以询问和交流;MOSFET的三个基本几何参数;MOSFET的三个基本几何参数

Lmin、Wmin和tox由工艺确定

Lmin:MOS工艺的特征尺寸(featuresize)

决定MOSFET的速度和功耗等众多特性

L和W由设计者选定

通常选取L=Lmin,由此,设计者只需选取W

W影响MOSFET的速度,决定电路驱动能力和功耗;;MOS器件是四端器件

有NMOS、PMOS两种器件;2MOSFET的符号;二

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