CN1708852A 半导体装置及半导体装置的制作方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200380102145.2

[51]Int.Cl?

H01L27/12

H01L21/336

H01L29/786

[43]公开日2005年12月14日[11]公开号CN1708852A

[22]申请日2003.10.23

[21]申请号200380102145.2

[30]优先权

[32]2002.11.1[33]JP[31]320270/2002

[86]国际申请PCT/JP2003/0135532003.10.23

[87]国际公布WO2004/040649日2004.5.13

[85]进入国家阶段日期2005.4.26

[71]申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县厚木市

[72]发明人高山彻丸山纯矢大野由美子村上雅一浜谷敏次桑原秀明山崎舜平

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人杨凯叶恺东

权利要求书4页说明书33页附图16页

[54]发明名称半导体装置及半导体装置的制作方法

[57]摘要

本发明的课题是提供在各种各样的基体材料粘贴被剥离层的轻量的半导体装置及其制作方法。本发明在衬底上形成被剥离层，在该被剥离层上用粘接材料粘贴设有刻蚀阻止膜的密封衬底，然后，仅刻蚀或研磨去除密封衬底。残留的刻蚀阻止膜直接作为阻挡膜。另外，粘接材料也可采用粘接磁片。

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知识产权出版社出版

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1.一种半导体装置，其特征在于，

以强磁性材料组成的片作为支持体，包括与上述强磁性材料组成的片连接的粘接材料和该粘接材料连接的绝缘膜上的元件。

2.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述元件是薄膜晶体管、具有包含有机化合物的层的发光元件、具有液晶的元件、存储元件、薄膜二极管、硅的PIN结组成的光电变换元件或硅电阻元件。

3.权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述强磁性材料组成的片由软质磁性粉状体和合成树脂混合形成并磁化。

4.一种半导体装置，其特征在于，

以粘接材料作为支持体，包括在上述粘接材料上的保护膜、在上述粘接材料连接的绝缘膜上由控制部和运算部组成的中央处理部以及存储部，上述中央处理部包含N沟道型的薄膜晶体管及P沟道型的薄膜晶体管。

5.权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体装置是认证卡、摄影机、数字照相机、眼镜型显示器、汽车导航装置、个人电脑或便携信息终端。

6.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

在第1衬底上形成包含半导体元件的被剥离层的第1工序；

将设有刻蚀阻止层的第2衬底用粘接材料粘贴到上述被剥离层的第2工序；

通过刻蚀或研磨仅去除第2衬底的第3工序。

7.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

在第1衬底上形成第1刻蚀阻止层的第1工序；

在上述第1刻蚀阻止层上形成包含半导体元件的被剥离层的第2工

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序；

将设有第2刻蚀阻止层的第2衬底用粘接材料粘贴到上述被剥离层的第3工序；

通过刻蚀或研磨去除至少第1衬底或第2衬底的第4工序。

8.权利要求6或权利要求7所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，上述刻蚀阻止层是Sr0、SnO?、氟树脂或W的单层，或它们的层叠。

9.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

在第1衬底上形成包含半导体元件的被剥离层的第1工序；

在上述被剥离层上涂敷包含可溶于溶媒的有机树脂的膜的第2工序；

用第1双面胶将第2衬底粘接到包含上述有机树脂的膜，用上述第1衬底和上述第2衬底夹持上述被剥离层及包含上述有机树脂的膜的第3工序；

用第2双面胶将第3衬底与上述第1衬底粘接的第4工序；

用物理手段分离粘接了上述第3衬底的上述第1衬底和上述被剥离

层的第5工序；

用第1粘接材料将强磁性材料组成的片粘接到上述被剥离层，用上述第2衬底和上述强磁性材料组成的片夹持上述被剥离层的第6