CN1735968A 半导体器件及其制作方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200380108533.1

[51]Int.Cl.

HO1L27/12(2006.01)HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/786(2006.01)HO1L21/20(2006.01)HO1L27/146(2006.01)

[43]公开日2006年2月15日[11]公开号CN1735968A

[22]申请日2003.12.19

[21]申请号200380108533.1

[30]优先权

[32]2003.1.8[33]JP[31]2667/2003

[86]国际申请PCT/JP2003/0163552003.12.19

[87]国际公布WO2004/068582日2004.8.12

[85]进入国家阶段日期2005.7.8

[71]申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县厚木市

[72]发明人西和夫高山彻后藤裕吾

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人浦柏明叶恺东

权利要求书4页说明书24页附图11页

[54]发明名称

半导体器件及其制作方法

[57]摘要

本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。

200380108533.1权利要求书第1/4页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于：

在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和第1非晶质半导体膜，

5对上述第1非晶质半导体膜进行结晶化，

将已被结晶化的半导体膜用作有源区来形成第1半导体元件，在上述第1半导体元件上粘接支撑体，

在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，

将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上，在剥离了上述支撑10体之后，在上述第1半导体元件上形成第2非晶质半导体膜，

形成将上述第2非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。

2.一种半导体器件的制作方法，其特征在于：

在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和第1非晶质半导体膜，

15对上述第1非晶质半导体膜进行结晶化，

将已被结晶化的半导体膜用作有源区来形成第1半导体元件，形成第2非晶质半导体膜，

形成将上述第2非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件，在上述第1半导体元件和第2半导体元件上粘接支撑体，

20在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离。

3.一种半导体器件的制作方法，其特征在于：

在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和第1非晶质半导体膜，

对上述第1非晶质半导体膜进行结晶化，

25将已被结晶化的半导体膜用作有源区来形成第1半导体元件，形成第2非晶质半导体膜，

形成将上述第2非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件，在上述第1半导体元件和第2半导体元件上粘接支撑体，

在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，

30将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，剥离上述支撑体。

4.一种半导体器件的制作方法，其特征在于：

200380108533.1权利要求书第2/4页

3

在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和第1非晶质半导体膜，

对上述第1非晶质半导体膜进行结晶化，

将已被结晶化的半导体膜用作有源区来形成第1半导体元件，

5使用粘接剂将支撑体粘接到上述第1半导体元件上，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，

使用粘接剂将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上，在除去上述粘接剂并剥离了上述支撑体之后，在上述第1半导体元件上形成第2