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光刻工艺工程师考试试卷及答案

一、填空题（10题，1分/题）

1.光刻胶按曝光后溶解性变化分为______胶和负胶。

2.常用i线曝光光源波长约为______nm。

3.曝光后显影前的步骤通常是______。

4.掩模（Mask）主要基底材料是______。

5.光刻对准精度常用单位是______（μm/纳米级）。

6.KrF光源波长约为______nm。

7.分辨率公式R=k1λ/NA中，k1为______因子。

8.正胶湿法显影常用试剂是______溶液（如TMAH）。

9.EUV光刻光源波长约为______nm。

10.光刻去胶常用方法是______（湿法/干法）去胶。

二、单项选择题（10题，2分/题）

1.负胶曝光后溶解性变化是（）

A.增强B.减弱C.不变D.先增后减

2.数值孔径（NA）定义是（）

A.n·sinθB.n/θC.sinθ/nD.n+sinθ

3.不属于DUV范畴的光源是（）

A.i线B.KrFC.ArFD.EUV

4.正胶显影后保留的是（）

A.曝光区域B.未曝光区域C.全部D.边缘

5.光刻“对准”核心目的是（）

A.提高胶厚均匀性B.保证层间套刻精度C.增加剂量D.减少缺陷

6.掩模图形层常用材料是（）

A.玻璃B.铬（Cr）C.硅D.光刻胶

7.分辨率与波长关系是（）

A.波长越长分辨率越高B.波长越短分辨率越高C.无关D.不确定

8.干法显影优势是（）

A.成本更低B.分辨率更高C.工艺更简单D.胶厚损失大

9.属于显影缺陷的是（）

A.套刻误差B.浮胶C.掩模划伤D.胶厚不均

10.EUV掩模用反射式的原因是（）

A.EUV易被吸收B.反射式更便宜C.透射式分辨率低D.寿命长

三、多项选择题（10题，2分/题，多选/少选/错选不得分）

1.光刻主要步骤包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀E.去胶

2.影响分辨率的关键因素（）

A.波长λB.NAC.掩模精度D.胶类型E.显影时间

3.常用光刻光源（）

A.i线（365nm）B.KrF（248nm）C.ArF（193nm）D.EUV（13.5nm）E.X射线

4.对准关键指标（）

A.套刻精度B.对准时间C.对准稳定性D.胶厚E.剂量

5.正胶显影缺陷（）

A.底切B.浮胶C.桥连D.套刻误差E.掩模污染

6.湿法去胶常用试剂（）

A.硫酸-双氧水B.丙酮C.异丙醇D.氢氟酸E.氢氧化钠

7.EUV光刻挑战（）

A.光源功率不足B.掩模污染C.胶灵敏度低D.套刻难控E.成本高

8.光刻胶性能指标（）

A.分辨率B.灵敏度C.对比度D.热稳定性E.胶厚均匀性

9.显影类型（）

A.湿法B.干法C.等离子D.热显影E.激光

10.涂胶关键要求（）

A.胶厚均匀B.无气泡C.无针孔D.胶厚稳定E.剂量合适

四、判断题（10题，2分/题，√/×）

1.负胶分辨率比正胶高。（）

2.EUV用透射式掩模。（）

3.正胶显影后曝光区域被去除。（）

4.k1最小理论值为0.25。（）

5.涂胶常用旋涂法。（）

6.湿法显影分辨率比干法高。（）

7.对准精度与套刻误差直接相关。（）

8.ArF属于DUV范畴。（）

9.胶灵敏度越高，所需剂量越大。（）

10.去胶只在光刻后做一次。（）

五、简答题（4题，5分/题）

1.简述正胶与负胶显影原理区别。

2.简述光刻“对准”的目的及关键指标。

3.简述显影“浮胶”缺陷的可能原因。

4.简述EUV光刻相比ArF的核心优势。

六、讨论题（2题，5分/题）

1.讨论如何通过工艺优化提升光刻分辨率（结合R=k1λ/NA）。

2.讨论EUV光刻面临的主要挑战及解决方案思路。

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答案

一、填空题

1.正2.3653.前烘（软烘）4.石英（玻璃）5.纳米（nm）6.2487.工艺8.四甲基氢氧化铵（TMAH）9.13.510.干法（或湿法）

二、单项选择题

1.B2.A3.D4.B5.B6.B7.B8.B9.B10.A

三、多项选择题

1.ABCE2.ABC3.ABCD4.ABC5.ABC6.AB7.ABCDE8.ABCDE9.AB10.ABCD

四、判断题

1.×2.×3.√4.√5.√6.×7.√8.√9.×10.×

五、简答题答案

1.正胶：曝光区域PAC分解，溶解性增强，显影时被去除，未曝光区域保留；负胶：曝光区域交联，溶解性减弱，显影时未曝光区域被去除，曝光区域保留。核心区别是溶解性变化方向相反。

2.目的：保证前后层图形套刻精度，避免短路/开路；关键指标：套刻精度（Overlay）、对准时间、对准稳定性、对准范围。

3.前烘不足（胶未固化）、显影液浓度/温度过高、基底清洁差（结合力弱）、曝光剂量不足（胶附着性下降）、显影时间过长（胶过度侵蚀）。

4.波长更短（13.5nm），分辨率达7nm以下；无需相移掩