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上海交通大学《集成电路工艺技术基础类》2023-2024学年第一学期期末试卷.pdfVIP

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  • 2026-02-19 发布于贵州
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上海交通大学《集成电路工艺技术基础类》2023-2024学年第一学期期末试卷.pdf

    上海交通大学《集成电路工艺技术基础类》

    2023-2024学年第一学期期末试卷

    一、单项选择题（共10小题，每小题2分，共20分）

    1.以下哪种工艺用于在硅片表面形成高质量的二氧化硅绝缘层？（）

    A.物理气相沉积（PVD）

    B.热氧化

    C.离子注入

    D.湿法刻蚀

    2.光刻工艺中，决定分辨率的核心参数是？（）

    A.光刻胶厚度

    B.曝光光源波长与光刻机数值孔径（NA）

    C.显影时间

    D.硅片清洗质量

    3.离子注入相对于热

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