CN102074892B 可调谐半导体激光器的制作方法 （北京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102074892B

(45)授权公告日2012.02.22

(21)申请号201010583714.1

(22)申请日2010.12.07

(73)专利权人北京邮电大学

地址100876北京市海淀区西土城路10号

(72)发明人伍剑闫励徐坤戴一堂李岩林金桐

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002

代理人王莹

(51)Int.CI.

HO1S5/125(2006.01)

(56)对比文件

US2003138209A1,2003.07.24,

US6087655A,2000.07.11,

GB2295689A,1996.06.05,

JP2000028835A,2000.01.28,

CN1371001A,2002.09.25,

审查员任晓东

权利要求书1页说明书7页附图5页

(54)发明名称

可调谐半导体激光器的制作方法

(57)摘要

CN102074892B本发明公开了一种可调谐半导体激光器的制作方法，该方法包括步骤：S1.构造只含相位调制、没有幅度调制、且具有目标反射光谱的相位光栅