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半导体电流基础知识点

半导体的基本概念

半导体是一类导电性介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅（Si）、锗（Ge）等。其原子结构特点是最外层电子数通常为4个，既不容易完全失去电子，也不容易完全获得电子。在纯净的半导体中，原子按一定规则整齐排列形成晶体结构。

本征半导体

本征半导体是完全纯净且具有完整晶体结构的半导体。在一定温度下，由于热激发，会有少量的价电子获得足够能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来的位置留下一个空的位置，称为空穴。自由电子带负电，空穴带正电，它们是成对出现的，称为电子-空穴对。

自由电子在电场作用下会定向移动形成电子电流；而空穴可以被附近的价电子填补，从效果上看就好像空穴在向相反方向移动，形成空穴电流。在本征半导体中，电子电流和空穴电流方向相反，但它们共同构成了本征半导体中的电流。

杂质半导体

为了提高半导体的导电性能，人为地在本征半导体中掺入少量其他元素，形成杂质半导体。根据掺入杂质元素的不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。

-N型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素（如磷），五价元素的5个价电子中有4个与周围的硅原子形成共价键，多余的1个电子很容易成为自由电子。因此，N型半导体中自由电子是多数载流子（简称多子），空穴是少数载流子（简称少子）。N型半导体主要靠自由电子导电。

-P型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素（如硼），三价元素的3个价电子与周围的硅原子形成共价键时，会产生一个空穴。所以，P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。P型半导体主要靠空穴导电。

PN结

将P型半导体和N型半导体通过特殊工艺结合在一起，在它们的交界面处就会形成PN结。

-PN结的形成过程：由于P区的多子空穴和N区的多子自由电子存在浓度差，空穴会向N区扩散，自由电子会向P区扩散。在扩散过程中，P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去自由电子留下带正电的离子，这些离子不能移动，形成了一个空间电荷区，也就是PN结。空间电荷区产生一个内电场，其方向从N区指向P区，内电场会阻止多子的继续扩散，同时推动少子的漂移。当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，PN结就处于稳定状态。

-PN结的单向导电性：当给PN结加上正向电压（P区接电源正极，N区接电源负极）时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，多子的扩散运动加剧，形成较大的正向电流，PN结处于导通状态；当给PN结加上反向电压（P区接电源负极，N区接电源正极）时，外电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子的扩散运动受到抑制，只有少子的漂移运动形成很小的反向电流，PN结处于截止状态。这就是PN结的单向导电性。

半导体器件中的电流

基于PN结可以制成多种半导体器件，如二极管、三极管等，这些器件中的电流特性各有不同。

-二极管中的电流：二极管由一个PN结加上相应的电极引线和管壳封装而成。根据PN结的单向导电性，当二极管正向偏置时，电流较大且基本随电压呈指数增长；当二极管反向偏置时，电流极小，通常可忽略不计，但当反向电压增大到一定值时，会发生反向击穿，电流急剧增大。

-三极管中的电流：三极管有三个电极，分别是发射极（E）、基极（B）和集电极（C），内部有两个PN结（发射结和集电结）。三极管工作在放大状态时，发射结正向偏置，集电结反向偏置。从发射极注入的多数载流子（电子或空穴），一小部分在基区与基区的少子复合形成基极电流，大部分越过集电结进入集电区形成集电极电流。三极管的电流放大作用就是通过基极电流的微小变化来控制集电极电流的较大变化实现的。

半导体电流涉及到本征半导体、杂质半导体、PN结以及各种半导体器件中的电流特性等多个基础知识点，这些知识是理解和分析半导体电路工作原理的基石。