《碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源技术规范》标准征求意见稿.pdf

T/CMEEEAXXXX—2026

碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源技术规范

1范围

本文件规定了碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源的工作要求、系统结构与功能、技术要求、试

验方法等内容。

本文件适用于以碳化硅（SiC）半导体材料为注入对象，加速能量范围为50keV～2MeV、束流强度

不小于100μA的高温高能离子注入机所用铝离子源，其他类型离子注入机的铝离子源可参照本规范执

行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1196重熔用铝锭

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GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温

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GB/T3875钨板

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