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2026年辐射测试作业指导书

第一章总则

1.1目的与适用范围

本指导书用于规范2026年度在电子元器件、整机及系统级产品生命周期内开展的全部辐射测试活动，涵盖总电离剂量（TID）、单粒子效应（SEE）、位移损伤（DD）以及瞬态辐射（Prompt）四大场景。适用对象包括设计验证、批产筛选、在轨维护、返厂归零四个阶段，适用于硅基CMOS、SiGeBiCMOS、GaN、SiC、InP、GaAs、SOI、FD-SOI、MRAM、RRAM、FeRAM、超导逻辑等全部工艺节点。

1.2引用文件

GJB548B-2025《半导体器件辐射总剂量试验方法》

MIL-STD-883KTM1019.10

ECSS-Q-ST-70-38CRev.3

JEDECJESD57

ASTMF1892-24

ISO22999-2025《空间系统辐射试验数据交换格式》

厂内规范Q/YC2046-26《辐射测试数据追溯编码规则》

1.3术语与缩略语

缩略语

全称

定义

TID

TotalIonizingDose

材料吸收电离辐射能量的累积值，单位krad(Si)

ELDRS

EnhancedLowDoseRateSensitivity

低剂量率增强效应

SEE

SingleEventEffect

单个高能粒子诱发的瞬时或永久失效

LET

LinearEnergyTran