CN101222120B 用AlN制作大功率镓砷铝镓砷激光器非吸收窗口的方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101222120B

(45)授权公告日2010.06.02

(21)申请号200710193582.X

(22)申请日2007.12.19

(73)专利权人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7186号

(72)发明人刘春玲乔忠良张晶么艳平薄报学高欣王玉霞

(51)Int.CI.

HO1S5/16(2006.01)

审查员杨云锋

权利要求书1页说明书2页附图1页

(54)发明名称

用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法

(57)摘要

CN101222120B本发明一种用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用AIN材料热导率高，热膨胀系数小，电阻率高，透过率高等的特点，用A1N膜形成一种简单有效的大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口，并用A1N膜代替SiO?作为绝缘膜和腔面抗反射膜，该方法工艺简单，成本低，能提高激光器的COD阈值，延长器件寿命。该技术方案

CN101222120B

CN101222120B权