CN101192818A 声表面波传感器芯片及其制作方法 （北京中科飞鸿科技有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200610144328.6

[51]Int.Cl.

H03H9/25(2006.01)

H03H3/08(2006.01)

H03H9/145(2006.01)

[43]公开日2008年6月4日[11]公开号CN101192818A

[22]申请日2006.12.1

[21]申请号200610144328.6

[71]申请人北京中科飞鸿科技有限公司

地址100095北京市海淀区100095信箱52分箱

[72]发明人李继良黄歆王宪刚杨思川

[74]专利代理机构北京凯特来知识产权代理有限公司

代理人赵镇勇郭宗胜

权利要求书2页说明书5页附图3页

[54]发明名称

声表面波传感器芯片及其制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种声表面波传感器芯片及其制作方法，包括压电基片，压电基片上设有Au层，芯片包括叉指换能器和成膜区，叉指换能器部位上设有成膜掩蔽层，成膜区的Au层上设有敏感膜，敏感膜为对特定气体具有吸附和解吸附性质的聚合物膜。芯片制作时，首先在非成膜区覆盖成膜掩蔽层，在成膜区形成化学敏感膜之前，利用成膜掩蔽层对非成膜区进行掩蔽，能够很好的解决敏感