CN101128922A 用于制作半导体器件的方法 （东京毅力科创株式会社）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L21/336(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200580047475.5

[43]公开日2008年2月20日[11]公开号CN101128922A

[22]申请日2005.11.30

[21]申请号200580047475.5

[30]优先权

[32]2005.1.31[33]US[31]11/045,124

[86]国际申请PCT/US2005/0432932005.11.30

[87]国际公布WO2006/083380英2006.8.10

[85]进入国家阶段日期2007.7.30

[71]申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都

[72]发明人考利·瓦吉达格特·莱乌辛克

[74]专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限

责任公司

代理人李剑

权利要求书3页说明书16页附图10页

[54]发明名称

用于制作半导体器件的方法

[57]摘要

一种用于在半导体器件的制作中处理栅叠层的方法包括：提供包含栅叠层的衬底，所述栅叠层具有形成在衬底上的介电层和形成在介电层上的含金属栅电极层；在等